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鹽霧設(shè)備的溫度測(cè)量點(diǎn)和沉降量測(cè)量點(diǎn)

更新日期:2018-11-16  |  點(diǎn)擊率:4034

鹽霧設(shè)備的溫度測(cè)量點(diǎn)和沉降量測(cè)量點(diǎn)

鹽霧設(shè)備的溫度測(cè)量點(diǎn)和沉降量測(cè)量點(diǎn)
溫度測(cè)量點(diǎn):
在被檢定設(shè)備工作室內(nèi)定出上 、中、下三個(gè)水平層面(簡(jiǎn)稱上 、中、下三層>;上層與工作室頂面的距離是工作室高度的 1/ 10,中層通過工作室?guī)缀沃行狞c(diǎn),下層在底層樣品架上方10mm處。
測(cè)量點(diǎn)位于上 、中、下三層,如圖1 和圖 2 ,用 、A 、B、C、D、E J  、G 、H 、J 、K 、L 、M、N 、U 表示;工作室容積不大于2 m 時(shí),測(cè)量點(diǎn)為 9 個(gè) ,位置如圖1 。

 
測(cè)量點(diǎn)位于工作室的幾何中心(或離噴霧 塔適當(dāng)距離),其他各測(cè)量點(diǎn)與試驗(yàn)設(shè)備內(nèi)壁的距離為各自邊長(zhǎng)的1/ 10 ,但不小于50 mm。
工作室容積大于2 時(shí),測(cè)量點(diǎn)為15 個(gè),位置如圖 2

測(cè)量點(diǎn) E、0、U 分別位于上 、中、下層的幾何中心,其他各測(cè)量點(diǎn)與試驗(yàn)設(shè)備內(nèi)壁的距離為各自邊長(zhǎng)的 1/ 10,但不小于50 mm 。
若在某測(cè)量點(diǎn)上測(cè)得 的數(shù)據(jù)不符合要求時(shí),可適當(dāng)放寬該測(cè)量點(diǎn)到箱壁的距離 ,并在檢定報(bào)告 中予以記載。
鹽霧沉降量測(cè)量點(diǎn):
工作容積不大于2時(shí),測(cè)量點(diǎn)5 個(gè),除中心點(diǎn)3 外,其他各點(diǎn)與試驗(yàn)設(shè)備內(nèi)壁的距離約為150 mm ,如圖 3。中心位置有噴霧塔 時(shí),中心點(diǎn)可離噴霧塔適當(dāng)距離 。

工作室容積大于2 時(shí),測(cè)量點(diǎn)為 9 個(gè) ,除中心點(diǎn) 5 外,其他各點(diǎn)與內(nèi)壁距離均為 170 mm ,如圖4 。中心位置有噴霧塔時(shí),中心點(diǎn)可離噴霧塔適當(dāng)距離 。

玻璃漏斗位于測(cè)量點(diǎn)上,其上平面與工作室底面的高度為工作室高度的 1/ 3。

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